За непрерывным ростом
производительности микропроцессоров, продолжающимся почти полвека, должен
успевать рост производительности запоминающих устройств (ЗУ).
Иначе, зачем «торопиться»
микропроцессору, если взаимодействующая с ним память «тормозит»? В первые три
десятилетия развития компьютерной техники рост производительности памяти, в
общем, соответствовал росту производительности микропроцессоров, однако уже
более 20-ти лет все более ярко проявляется «замедленная реакция» ЗУ (по
сравнению со скоростью вычислений в микропроцессорах) в записи и чтении данных.
Причем и в DRAM, и в NAND. При этом растет также «скоростной отрыв» системной
памяти от флеш-памяти.
Компании, специализирующиеся на
разработке и производстве устройств памяти, упорно ищут новые технологии,
которые могли бы «спасти положение», но, несмотря на огромные инвестиции в
поисковые научные изыскания, «воз и ныне там». Правда, недавно появилась
надежда, что «воз таки сдвинется с места».
Эту надежду вселяет заявление
американской транснациональной корпорации Micron Technology (одним из ведущих
мировых производителей чипов памяти DRAM и NAND, флеш-памяти и SSD-накопителей)
о завершении совместной с Intel разработки инновационной технологии памяти 3D XPoint.
Трехмерная структура нового устройства представляет собой перекрещивающиеся
взаимно-перпендикулярные слои, на которых выполнены проводящие дорожки из
«особого» материала (какого – фирмы-соразработчики не раскрывают!). Этот
материал изменяет свое сопротивление под воздействием электрического напряжения
в точках пересечения указанных дорожек, что используется для адресации на
битовом уровне и позволяет наращивать плотность памяти добавлением слоев в
вертикальном направлении.
Новый тип памяти в 1000 раз
производительнее, чем память NAND, и в 10 раз плотнее памяти DRAM.
См. также:
Комментарии
Отправить комментарий