Во всех распространенных сегодня устройствах флеш-памяти NAND используются планарные микросхемы, что серьезно ограничивает плотность записи информации, в то время как запросы пользователей на увеличение объемов хранения данных растут не по дням, а по часам.
Устранить этот барьер позволят трехмерные устройства, выпуск которых начала компания Samsung по разработанной ею технологии 3D V-NAND.
Первые модели 3D флеш-памяти будут иметь емкость 16 ГБ, но, очевидно, что скоро появятся и более вместительные флешки: разработчики подсчитали, что при одинаковых площадях трехмерного и двумерного чипов новое устройство сможет хранить в 8 раз больше информации за счет того, что в этом «слоеном пирожке» расположены один поверх другого 24 слоя 2D-микросхем памяти.
К тому же использование нового технологического процесса обеспечивает двукратное увеличение скорости записи данных и почти десятикратное повышение надежности хранения информации в 3D флешке по сравнению с ее двумерной предшественницей.
Компания Samsung планирует также использовать технологию 3D V-NAND в производстве твердотельных накопителей SSD.
Устранить этот барьер позволят трехмерные устройства, выпуск которых начала компания Samsung по разработанной ею технологии 3D V-NAND.
Первые модели 3D флеш-памяти будут иметь емкость 16 ГБ, но, очевидно, что скоро появятся и более вместительные флешки: разработчики подсчитали, что при одинаковых площадях трехмерного и двумерного чипов новое устройство сможет хранить в 8 раз больше информации за счет того, что в этом «слоеном пирожке» расположены один поверх другого 24 слоя 2D-микросхем памяти.
К тому же использование нового технологического процесса обеспечивает двукратное увеличение скорости записи данных и почти десятикратное повышение надежности хранения информации в 3D флешке по сравнению с ее двумерной предшественницей.
Компания Samsung планирует также использовать технологию 3D V-NAND в производстве твердотельных накопителей SSD.
Комментарии
Отправить комментарий